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'jan1n4102d1'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	二极管元件材料	终端数量											厂商																								操作温度	包装	已出版	系列	容差	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	电压 - 供电	端子位置	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	参考标准	终端样式	功能	资历状况	极性	界面	不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	箱体转运	阻抗-最大	测试电流
JAN1N4102D-1	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	DO-35-2	DO-35 (DO-204AH)	Sierra Wireless	通孔	Microchip	Microchip / Microsemi	N	200 Ohms					Box	FX30	Obsolete	0.005291 oz	1	-65°C ~ 175°C	Bulk		FX30	±1%								通用型		Diodes & Rectifiers	4.75V ~ 32V					850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz				Axial		Gateway				Analog, Digital, Ethernet, RJ-45, USB		500 nA @ 6.7 V	1.1 V @ 200 mA				8.7 V	齐纳二极管			-	-	70Mbps		Cellular, EDGE, GPRS, GSM, HSPA+	Programmable, Legato, Linux	齐纳二极管	2.29 mm	5.08 mm
JAN1N4102D-1	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	通孔	DO-204AH, DO-35, Axial	NO	2	SILICON			1	0.48W	-65°C~175°C	Bulk	1999	Military, MIL-PRF-19500/435	±1%	e0	no	IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	锡铅		冶金结合	8541.10.00.50				WIRE	未说明		未说明		MIL		O-LALF-W2		不合格	UNIDIRECTIONAL	SINGLE		泽纳电极	500nA @ 6.7V	1.1V @ 200mA	ISOLATED	200Ohm		8.7V	8.7V		1%		0.25mA									Non-RoHS Compliant
JAN1N4102D-1/TR	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)	微芯片技术	Microchip	Microchip / Microsemi	200 mA	8.7 V	N	0.075 %/C					Tape & Reel (TR)	活跃	200 Ohms	0.5 uA	200 Ohms	0.5 uA	0.5 W	+ 175 C	0.007055 oz	- 65 C	100	通孔	-65°C ~ 175°C	Reel		Military, MIL-PRF-19500/435	±1%										Diodes & Rectifiers														Single			500 nA @ 6.7 V	1.1 V @ 200 mA	250 uA		8.7 V	齐纳二极管			1 %			44 mA	1.1 V	齐纳二极管	2.29 mm	5.08 mm
JAN1N4102D-1/TR	Microsemi	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	SILICON	2	0.48 W	8.7 V	未说明					JAN1N4102D-1/TR	无	Obsolete	MICROSEMI CORP	DO-35	O-LALF-W2	5.59	1	175 °C	-65 °C	GLASS		ROUND	长式						e0	无			EAR99	锡铅		冶金结合	8541.10.00.50			AXIAL	WIRE	未说明	compliant			2	MIL		O-LALF-W2		不合格	UNIDIRECTIONAL	SINGLE	泽纳电极			ISOLATED				1%	DO-204AH	0.25 mA