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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 封装的热阻 | 厂商 | Operating Temperature (Max) | Operating Temperature (Min) | 包装 | 已出版 | 系列 | 尺寸/尺寸 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 颜色 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 电压 - 正向 (Vf) (类型) | 视角 | 箱体转运 | 正向电流 | 测试电流 | 工作温度 - 结点 | 流明/瓦特@电流 - 测试 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 显色指数 | 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值） | 平均整流电流（Io） | 正向电压 | 最大反向电压（DC） | 最大电流 | 平均整流电流 | 产品类别 | 反向恢复时间 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 电容@Vr, F | 峰值非恢复性浪涌电流 | 通量@25°C，电流测试 | 通量@85°C，电流测试 | 恢复时间 | 重复峰值反向电压 | 反向恢复时间-最大值 | 反向恢复时间(trr) | 产品 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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 | JAN1N4150-1 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 通孔 | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | 2 | SILICON | 175°C | -65°C | 1 | Bulk | 1996 | Military, MIL-PRF-19500/231 | e0 | no | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.10.00.70 | WIRE | Qualified | Single | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard | 100nA @ 50V | 1V @ 200mA | ISOLATED | 300mA | -65°C~175°C | 1V | 50V | 200mA | 4 ns | 100nA | 50V | 4A | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N4150-1 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 1212 (3030 Metric) | NO | 2 | 1212 | SILICON | 2 | 2.1°C/W | 0.1 uA | + 175 C | - 65 C | 通孔 | 200 mA | 50 V | SIMILAR TO DO-7, 2 PIN | OSRAM Opto (ams OSRAM) | 长式 | UNSPECIFIED | -65 °C | 未说明 | 175 °C | 无 | JAN1N4150-1 | ROUND | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.11 | DO-7 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 4000K | 1N4150 | OSLON® Square | 0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm) | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | White, Neutral | 8541.10.00.70 | AXIAL | WIRE | 未说明 | MIL-19500/231H | O-XALF-W2 | Qualified | Single | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard | 100 nA @ 50 V | 1 V @ 200 mA | 2.8V | 120° | ISOLATED | 700mA | -65°C ~ 175°C | 153 lm/W | 4 A | 0.2 A | 80 | 50 V | 200mA | 1.8A | 4 | - | - | 300lm (290lm ~ 310lm) | 4 ns | 50 | 0.004 µs | 4 ns | 开关二极管 | 1 V | 0.082 (2.09mm) | not_compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N4150-1/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-35 | 通孔 | Microchip | 微芯片技术 | Microchip / Microsemi | 200 mA | 50 V | N | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 0.1 uA | 2.5 pF | 500 mW | + 175 C | 0.007055 oz | - 65 C | 1 | Reel | Military, MIL-PRF-19500/231 | Diodes & Rectifiers | Single | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard | 100 nA @ 50 V | 1 V @ 200 mA | -65°C ~ 175°C | 4 A | 50 V | 200mA | Diodes - General Purpose, Power, Switching | - | 4 ns | 4 ns | 开关二极管 | 1 V | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
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