Microchip JAN1N4475DUS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

180-TFBGA

供应商器件包装

180-FBGA (12x14)

Package

Tray

Base Product Number

MT61K512

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Ir - Reverse Current

0.05 uA

Zz - Zener Impedance

18 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.05 uA

Pd - Power Dissipation

1.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.006808 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Vz - Zener Voltage

27 V

RoHS

N

Impedance (Max) (Zzt)

18 Ohms

操作温度

0°C ~ 95°C (TC)

系列

-

包装

Bulk

容差

±1%

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

SGRAM - GDDR6

电压 - 供电

1.31V ~ 1.391V

配置

Single

内存大小

16Gbit

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 21.6 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 200 mA

时钟频率

7 GHz

功率 - 最大

1.5 W

内存格式

DRAM

测试电流

9.5 mA

写入周期时间 - 字符、页面

-

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

27 V

产品类别

齐纳二极管

电压允差

1 %

齐纳电流

53 mA

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

齐纳二极管

组织的记忆

512M x 32

宽度

2.62 mm

高度

2.62 mm

长度

5.08 mm