JAN1N4477DUS详情
Microchip JAN1N4477DUS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
D-5A-2
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
D-5A
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer
Turck
Ir - Reverse Current
0.05 uA
Zz - Zener Impedance
25 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.05 uA
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.006808 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Brand
Microchip / Microsemi
Vz - Zener Voltage
33 V
RoHS
N
Package
Bulk
Base Product Number
1N4477
Impedance (Max) (Zzt)
25 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
33 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN1N4477DUS
Power Dissipation (Max)
1.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.43
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/406
容差
±1%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/406F
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 26.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1.5 W
测试电流
7.5 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
33 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
1%
工作测试电流
7.5 mA
电压允差
1 %
齐纳电流
43 mA
Vf-正向电压
1.5 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
2.62 mm
高度
2.62 mm
长度
5.08 mm
JAN1N4477DUS拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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