Microchip JAN1N4615-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Schedule B

8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

1250 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

2 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N4615-1

Power Dissipation (Max)

0.48 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.49

Part Package Code

DO-7

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/435

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

480 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2.5 µA @ 1 V

功率耗散

480 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

5 µA

测试电流

250 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

2 V

齐纳电压

2 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-204AH

工作测试电流

0.25 mA

电压允差

5 %

辐射硬化

无