Microchip JAN1N4979US

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

D-5B

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

1N4979

Impedance (Max) (Zzt)

55 Ohms

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

75 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N4979US

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

敏创半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.28

Zz - Zener Impedance

55 Ohms

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Vz - Zener Voltage

75 V

Voltage Temperature Coefficient

0.1 %/C

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SXT224

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

兆赫晶体

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

12.288 MHz

频率稳定性

±25ppm

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/356H

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

ESR（等效串联电阻）

120 Ohms

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

负载电容

22pF

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 56 V

操作模式

Fundamental

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

频率容差

±25ppm

功率 - 最大

5 W

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

75 V

最大电压允差

5%

工作测试电流

20 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

2 uA

动态阻抗-最大值

15 Ω

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

评级结果

-