JAN1N5519B-1详情
Microchip JAN1N5519B-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
DO-35-2
底架
通孔
安装类型
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
DO-35 (DO-204AH)
Product Status
活跃
厂商
Molex
Base Product Number
120069
Package
Bulk
Unit Weight
0.005291 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Impedance (Max) (Zzt)
24 Ohms
系列
*
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 175°C
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
3 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
3 µA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
3.6 V
齐纳电压
3.6 V
产品类别
齐纳二极管
产品类别
齐纳二极管
辐射硬化
无
JAN1N5519B-1拓展信息
Microchip Technology
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