Microchip JAN1N5525CUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Unit Weight

0.001411 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N5525

Impedance (Max) (Zzt)

30 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

6.2 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N5525CUR-1

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.38

Part Package Code

DO-213AA

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8209

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

容差

±2%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

AVALANCHE

电压 - 供电

2.5V

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

106.25MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-LELF-R2

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

36mA

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

电流 - 电源（禁用）（最大值）

70µA

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.2 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

2%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

1 mA

绝对牵引范围 (APR)

--

动态阻抗-最大值

30 Ω

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

长度

3.7 mm

直径

1.7 mm

评级结果

--