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'jan1n5526dur1'

3结果

category.单相齐纳二极管 (3)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

二极管元件材料

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

容差

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

附加功能

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

参考标准

终端样式

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

箱体转运

功率 - 最大

阻抗-最大

测试电流

参考电压

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

产品类别

最大电压允差

工作测试电流

电压允差

齐纳电流

动态阻抗-最大值

Vf-正向电压

产品类别

直径

长度

RoHS状态

JAN1N5526DUR-1

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AA-2

DO-213AA

Bulk

1N5526

30 Ohms

微芯片技术

活跃

Non-Compliant

0.001411 oz

1

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

-65°C ~ 175°C

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/437

±1%

Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

1 µA @ 6.2 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

6.8 V

齐纳二极管

齐纳二极管

1.7 mm

3.7 mm

JAN1N5526DUR-1

Microsemi Corporation

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

表面贴装

DO-213AA (Glass)

YES

2

SILICON

1

0.5W

-65°C~175°C

Bulk

1999

Military, MIL-PRF-19500/437

±1%

e0

no

IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

冶金结合

8541.10.00.50

END

环绕

未说明

未说明

MIL-19500

R-LELF-R2

Qualified

UNIDIRECTIONAL

SINGLE

泽纳电极

1μA @ 6.2V

1.1V @ 200mA

ISOLATED

500mW

30Ohm

6.8V

6.8V

1%

1mA

30Ohm

Non-RoHS Compliant

JAN1N5526DUR-1/TR

JAN1N5526DUR-1/TR

Microchip Technology

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AA (Glass)

DO-213AA

Tape & Reel (TR)

活跃

30 Ohms

1 uA

30 Ohms

1 uA

0.5 W

+ 175 C

0.001411 oz

微芯片技术

- 65 C

100

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

6.8 V

N

-65°C ~ 175°C

Reel

Military, MIL-PRF-19500/437

±1%

Diodes & Rectifiers

Single

1 μA @ 6.2 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

1 mA

6.8 V

齐纳二极管

1 %

56 mA

1.1 V

齐纳二极管

1.7 mm

3.71 mm