JAN1N5527BUR-1详情
Microchip JAN1N5527BUR-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
1008 (2520 Metric)
供应商器件包装
1008
Frequency-Self-Resonant
-
Package
Tape & Reel (TR)
Inductance Frequency-Test
1 MHz
厂商
中央技术
Product Status
活跃
Material-Core
Ferrite
Current - Saturation (Isat)
-
Unit Weight
0.001411 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Base Product Number
1N5527
Impedance (Max) (Zzt)
35 Ohms
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
CTMLP100804AF
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
容差
±30%
类型
Multilayer
子类别
Diodes & Rectifiers
额定电流
900 mA
屏蔽/屏蔽
Shielded
电感,电感
4.7 µH
直流电阻(DCR)
250mOhm
反向泄漏电流@ Vr
500 nA @ 6.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
功率 - 最大
500 mW
谐振@频率
-
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
7.5 V
产品类别
齐纳二极管
特征
-
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.039 (1.00mm)
评级结果
-
JAN1N5527BUR-1拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。