Microchip JAN1N5531BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

RoHS

Non-Compliant

Unit Weight

0.001411 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N5531

Impedance (Max) (Zzt)

80 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)

容差

±5%

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

电压 - 供电

2.5V

频率

40MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

70µA

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 9.9 V

功率耗散

500

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

50 nA

测试电流

1 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

11 V

齐纳电压

11 V

产品类别

齐纳二极管

电压允差

5 %

绝对牵引范围 (APR)

--

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

辐射硬化

无

评级结果

--