Microchip JAN1N5610

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

引脚数

2

供应商器件包装

G, Axial

RoHS

Non-Compliant

Breakdown Voltage / V

33 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

32 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Schedule B

8541100080

Reverse Stand-off Voltage

30.5 V

Number of Elements

1

Package

Bulk

Base Product Number

1N5610

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/434

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

Axial

工作电压

30.5 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

33V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

32A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

47.6V

箝位电压

47.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

30.5V

峰值脉冲电流

32 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

33 V

最小击穿电压

33 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无