Microchip JAN1N5646A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

Panel Mount, Through Hole

包装/外壳

DO-13-2

底架

通孔

越来越多的功能

-

引脚数

2

外壳材料

不锈钢

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

插入材料

氟硅弹性体

后壳材料，电镀

-

Voltage, Rating

600VAC, 850VDC

Package

Bulk

Primary Material

Metal

Base Product Number

D38999/25HD

厂商

TE Connectivity Deutsch 连接器

Product Status

活跃

Contact Materials

镍铁合金

Contact Finish Mating

Gold

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

34.2 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

30 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Reverse Stand-off Voltage

30.8 V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

MIL-DTL-38999 Series III, DTS

终端

Solder

连接器类型

Receptacle, Male Pins

类型

Zener

定位的数量

15

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

颜色

Silver

应用

Aviation, Communication Systems, Industrial

紧固类型

Threaded

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

额定电流

-

方向

C

屏蔽/屏蔽

Shielded

入口保护

抗环境干扰

外壳完成

化学镍

外壳尺寸-插入

15-15

终端样式

Axial

工作电压

30.8 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

外壳尺寸，MIL

-

电源线保护

无

电压 - 击穿

34.2V

电缆开口

-

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

30A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

49.9V

箝位电压

49.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

30.8V

峰值脉冲电流

30 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

34.2 V

最小击穿电压

34.2 V

特征

密封

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

触点表面处理厚度 - 配套

-

材料可燃性等级

-