Microchip JAN1N5819UR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Schedule B

8541100080

RoHS

Non-Compliant

Vr - Reverse Voltage

45 V

Ir - Reverse Current

5 mA

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Unit Weight

0.001199 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Vrrm - Repetitive Reverse Voltage

45 V

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

If - Forward Current

1 A

Ifsm - Forward Surge Current

25 A

Package

Bulk

Base Product Number

1N5819

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-XELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N5819UR-1

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.88

Part Package Code

DO-213AB

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/586

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

70 pF

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Si

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/586F

JESD-30代码

O-XELF-R2

资历状况

Qualified

配置

Single

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

50 µA @ 45 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

490 mV @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

正向电流

1 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 125°C

输出电流-最大值

1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

45 V

平均整流电流（Io）

1A

正向电压

800 mV

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

峰值反向电流

50 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

45 V

JEDEC-95代码

DO-213AB

电容@Vr, F

70pF @ 5V, 1MHz

反向电压

45 V

二极管配置

Single

最大正向浪涌电流（Ifsm）

25 A

最大结点温度（Tj）

125 °C

重复峰值反向电压

45

产品

肖特基整流器

Vf-正向电压

490 mV

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

高度

2.67 mm

辐射硬化

无