JAN1N6116A详情
Microchip JAN1N6116A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
NO
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
包装/外壳
C-Package-2
安装类型
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
Axial
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
JAN1N6116A
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMTECH CORP
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Risk Rank
5.37
Breakdown Voltage-Nom
27 V
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
1.5 W
Reverse Stand-off Voltage
20.6 V
RoHS
Non-Compliant
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package
Bulk
Base Product Number
1N6116
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Zener
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/516
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
极性
BIDIRECTIONAL
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
元素配置
Single
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
25.7V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
13.4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
37.4V
箝位电压
37.4 V
电压 - 反向断态(典型值)
20.6V
峰值脉冲电流
13.4 A
峰值脉冲功率
500 W
方向
双向
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
20.6 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
500 W
反向电流-最大值
1 µA
击穿电压-最小值
25.7 V
双向通道数
1
最大箝位电压
37.4 V
最小击穿电压
25.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
JAN1N6116A拓展信息
Microchip Technology
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