JAN1N6322US详情
Microchip JAN1N6322US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
底架
表面贴装
触点镀层
Lead, Tin
包装/外壳
B-SQ-MELF-2
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Non-Compliant
Unit Weight
0.003333 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
Package
Bulk
Base Product Number
1N6322
Impedance (Max) (Zzt)
5 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-XELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
8.2 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN1N6322US
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.29
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
容差
±5%
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/533F
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
O-XELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
8.2 V
齐纳电压
8.2 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
工作测试电流
20 mA
动态阻抗-最大值
5 Ω
产品类别
齐纳二极管
宽度
2.16 mm
高度
2.16 mm
长度
4.95 mm
JAN1N6322US拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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