Microchip JAN1N6323US

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer

GE - General Electric

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

1N6323

Impedance (Max) (Zzt)

6 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Unit Weight

0.003333 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

Microchip / Microsemi

Risk Rank

5.29

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Manufacturer Part Number

JAN1N6323US

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

200 °C

Reference Voltage-Nom

9.1 V

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Style

长式

Package Description

O-XELF-R2

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-19500/533

容差

±5%

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/533F

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-R2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

9.1 V

齐纳电压

9.1 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

工作测试电流

20 mA

动态阻抗-最大值

6 Ω

产品类别

齐纳二极管

宽度

2.16 mm

高度

2.16 mm

长度

4.95 mm