Microchip JAN1N6326US

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

Axial

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Non-Compliant

Unit Weight

0.003333 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N6326

Impedance (Max) (Zzt)

7 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-XELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

12 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N6326US

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.38

操作温度

-65°C ~ 150°C

系列

Military, MIL-PRF-39017/02, RLR20

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.138 Dia x 0.375 L (3.51mm x 9.53mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±100ppm/°C

电阻

20 Ohms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

附加功能

METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

MIL-19500/533F

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-R2

资历状况

Qualified

失败率

P (0.1%)

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 9.9 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

工作测试电流

20 mA

动态阻抗-最大值

7 Ω

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

--

宽度

2.16 mm

高度

2.16 mm

长度

4.95 mm