Microchip JAN1N6349

表面安装

NO

包装/外壳

DO-35-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Reference Voltage-Nom

110 V

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Style

长式

Package Shape

ROUND

Package Body Material

GLASS

Number of Elements

1

Risk Rank

5.29

Package Description

O-LALF-W2

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N6349

Unit Weight

0.005291 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N6349

Impedance (Max) (Zzt)

500 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-19500/533

容差

±5%

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOW NOISE, HIGH SURGE CAPABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/533

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 84 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

110 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

1.1 mA

产品类别

齐纳二极管

长度

5.08 mm

直径

2.29 mm