Microchip JAN1N6473US

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Axial, Box

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

越来越多的功能

Flanges

引脚数

2

供应商器件包装

G-MELF (D-5C)

Reverse Stand-off Voltage

24 V

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N6473

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39009, RER45

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.750 L x 0.800 W (19.05mm x 20.32mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

温度系数

±50ppm/°C

类型

Zener

电阻

9 Ohms

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Wirewound

应用

通用型

功率(瓦特)

10W

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

失败率

R (0.01%)

元素配置

Single

引线样式

焊片

电源线保护

无

电压 - 击穿

27V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

207A (8/20µs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

41.4V

箝位电压

41.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

24V

峰值脉冲电流

207 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

涂层/外壳类型

Aluminum

单向通道数

1

最小击穿电压

27 V

特征

Military, Moisture Resistant, Non-Inductive

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

座位高度(最大)

0.405 (10.29mm)