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'jan1n759dur1'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

二极管元件材料

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

容差

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

ECCN 代码

端子表面处理

HTS代码

子类别

Reach合规守则

终端样式

资历状况

配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

功率 - 最大

阻抗-最大

电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

产品类别

电压允差

齐纳电流

Vf-正向电压

产品类别

直径

长度

RoHS状态

JAN1N759DUR-1
JAN1N759DUR-1
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

表面贴装

DO-213AA (Glass)

2

SILICON

-65°C~175°C

Bulk

1999

Military, MIL-PRF-19500/127

±1%

e0

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.10.00.50

Qualified

泽纳电极

1μA @ 9V

1.1V @ 200mA

500mW

30Ohm

12V

Non-RoHS Compliant

JAN1N759DUR-1
JAN1N759DUR-1
Microchip 数据表

10 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AA-2

2

DO-213AA

SILICON

SMD/SMT

Microchip / Microsemi

微芯片技术

Bulk

1N759

30 Ohms

活跃

JAN1N759DUR-1

无

活跃

MICROSEMI CORP

DO-213AA

5.32

Non-Compliant

0.001411 oz

1

-65°C ~ 175°C

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/127

±1%

e0

Production (Last Updated: 2 months ago)

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.10.00.50

Diodes & Rectifiers

compliant

SMD/SMT

Qualified

泽纳电极

1 µA @ 9 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

12 V

齐纳二极管

齐纳二极管

1.7 mm

3.7 mm

JAN1N759DUR-1/TR
JAN1N759DUR-1/TR
Microchip Technology 数据表

43 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AA (Glass)

DO-213AA

10 Ohms

1 uA

0.5 W

+ 175 C

0.001411 oz

- 65 C

100

微芯片技术

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

12 V

N

0.08 %/C

Tape & Reel (TR)

活跃

30 Ohms

1 uA

-65°C ~ 175°C

Reel

Military, MIL-PRF-19500/127

±1%

Diodes & Rectifiers

Single

1 μA @ 9 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

12 V

齐纳二极管

1 %

35 mA

1.1 V

齐纳二极管

1.7 mm

3.71 mm

JAN1N759DUR-1/TR
JAN1N759DUR-1/TR
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LB7K-32ST7H-1H

IDEC