Microchip JAN2N2222AUA

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541210080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N2222AUA

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

1.6

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/255

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

500 mW

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/255

JESD-30代码

R-CDSO-N4

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

650 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

50 V

辐射硬化

无