Microchip JAN2N2905A

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

Transistor Polarity

PNP

Schedule B

8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Unit Weight

0.128962 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

600 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N2905

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/290

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

3

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

1µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

600

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

含铅