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'jan2n3439'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料							Collector-Emitter Saturation Voltage																							厂商																																			操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	HTS代码	最大功率耗散	技术	端子位置	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	频率	引脚数量	参考标准
JAN2N3439P	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	TO-39 (TO-205AD)	微芯片技术		Bulk	活跃	1 A	1	Microchip	Microchip / Microsemi		N								-55°C ~ 200°C			Military, MIL-PRF-19500/368																												800 mW		NPN			40 @ 20mA, 10V	2μA		500mV @ 4mA, 50mA	350 V		-								微芯片技术
JAN2N3439	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-39-3	NO	TO-39 (TO-205AD)	3	SILICON	500 mV	未说明	200 °C	无	15 MHz	JAN2N3439	1000 ns	微芯片技术	ROUND	1	活跃	Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag	MICROSEMI CORP	10000 ns	1.54						NPN	7 V	800 mW	+ 200 C	40 at 20mA, 10 V	- 65 C	1	通孔	-	Microchip	Microchip / Microsemi	1 A	160 at 20 mA, 10 V	N	350 V	Bulk	1 A	2N3439	活跃	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL	METAL	-65°C ~ 200°C (TJ)	Bulk		Military, MIL-PRF-19500/368	e0	无				EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)			8541.21.00.95	Transistors		Si	BOTTOM	WIRE	未说明	compliant			MIL-19500	O-MBCY-W3	Qualified		Single	5	COLLECTOR	800 mW	NPN	BJTs - Bipolar Transistors	NPN		40 @ 20mA, 10V	2µA	TO-205AD	500mV @ 4mA, 50mA	350 V	-	450 V	5 W	1 A	40	1	350 V	Bipolar Transistors - BJT
JAN2N3439	MOTOROLA	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
JAN2N3439	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22 Weeks	IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)	通孔	通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	3	SILICON						350V	800mW	1		-65°C~200°C TJ	Bulk	2007	Military, MIL-PRF-19500/368	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)							BOTTOM	WIRE			40MHz				Qualified		SINGLE	800mW	COLLECTOR		NPN		NPN	350V	1A	40 @ 20mA 10V	2μA		500mV @ 4mA, 50mA		15MHz		450V		7V							无	Non-RoHS Compliant
JAN2N3439	Aeroflex	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	Si					不合规	EAR99	无	无	双极电源	1		450	350	7	1.3@4mA@50mA	0.5@4mA@50mA	1	40@20mA@10V\|30@2mA@10V\|[email protected]@10V	800	-65	200	Military	通孔	6.6(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								Bag					活跃				NPN																		Single																							9.4(Max)
JAN2N3439L	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	通孔	通孔	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can	NO	3	TO-5	3	SILICON	微芯片技术	1000 ns	Bulk	1 A	Discontinued at Digi-Key	8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080	350 V	Non-Compliant			JAN2N3439L	无	活跃	MICROSEMI CORP	TO-5	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3		1.42	1	200 °C	METAL	ROUND	CYLINDRICAL	未说明	10000 ns	-65°C ~ 200°C (TJ)	Bulk		Military, MIL-PRF-19500/368	e0	无				EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)	200 °C	-55 °C	8541.21.00.95		800 mW		BOTTOM	WIRE	未说明	compliant		3	MIL-19500	O-MBCY-W3	Qualified	NPN	SINGLE	800 mW	COLLECTOR	800 mW	NPN		NPN	350 V	1 A	40 @ 20mA, 10V	2µA	TO-5	500mV @ 4mA, 50mA	350 V		-	450 V	0.8 W	7 V	1 A	40	350 V			无
JAN2N3439L	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22 Weeks	IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)	通孔	通孔	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can	3	SILICON						350V	800mW	1		-65°C~200°C TJ	Bulk	2007	Military, MIL-PRF-19500/368	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	3	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)							BOTTOM	WIRE							Qualified		SINGLE	800mW	COLLECTOR		NPN		NPN	350V	1A	40 @ 20mA 10V	2μA		500mV @ 4mA, 50mA				450V		7V							无	Non-RoHS Compliant
JAN2N3439L	Aeroflex	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	Si					不合规	EAR99	无	无	双极电源	1		450	350	7	1.3@4mA@50mA	0.5@4mA@50mA	1	40@20mA@10V\|30@2mA@10V\|[email protected]@10V	800	-65	200	Military	通孔	6.6(Max)	3	TO-205-AA	TO-5	通孔								Bag					活跃				NPN																		Single																							9.4(Max)
JAN2N3439UA	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4-SMD, No Lead	YES	UA	4	SILICON	微芯片技术	200 °C	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	RECTANGULAR	小概要	1000 ns	10000 ns	30	Bulk	2 µA	活跃	1	Microchip / Microsemi	N						JAN2N3439UA	有	活跃	MICROSEMI CORP	LCC	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4		5.07	1	-65°C ~ 200°C (TJ)			Military, MIL-PRF-19500/368	e4					EAR99		Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier			8541.21.00.95			Si	DUAL	无铅	260	compliant		4	MIL-19500	R-CDSO-N4	Qualified		SINGLE		COLLECTOR	800 mW	NPN	BJTs - Bipolar Transistors	NPN			40 @ 20mA, 10V	2µA		500mV @ 4mA, 50mA	350 V		-		5 W		1 A	40	350 V	Bipolar Transistors - BJT