Microchip JAN2N3439

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 20mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

160 at 20 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

350 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3439

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

15 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N3439

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

1.54

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/368

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

5

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

450 V

最大耗散功率(Abs)

5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

350 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT