Microchip JAN2N3498L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Radial

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

-

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

厂商

Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)

Package

Bulk

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

2N3498

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N3498L

Turn-on Time-Max (ton)

115 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1150 ns

Risk Rank

5.18

Part Package Code

TO-5

系列

VSR

操作温度

-55°C ~ 125°C

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.300 L x 0.105 W (7.62mm x 2.67mm)

容差

±0.1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±8ppm/°C

电阻

25 Ohms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

金属箔

功率(瓦特)

0.3W

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/366

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

失败率

-

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

100 V

特征

Non-Inductive

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.336 (8.53mm)

辐射硬化

无