Microchip JAN2N3584

包装/外壳

TO-66-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Package

Bulk

厂商

KYOCERA AVX

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

25

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

2 A

DC Current Gain hFE Max

100

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

250 V

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

系列

*

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

2.5 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 10V

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

375 V

连续集电极电流

2 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT