Microchip JAN2N3810U

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

引脚数

6

供应商器件包装

TO-78-6

Manufacturer Part Number

WRPTR-A6500-SHPKIT

Manufacturer

Brady

Number of Elements

2

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Base Product Number

2N3810

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

系列

2N3810

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

350 mW

技术

Si

极性

PNP

功率耗散

350 mW

功率 - 最大

350mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无