参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
Chassis, Stud Mount
包装/外壳
TO-210AA, TO-59-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-59
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Base Product Number
2N5005
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Package Description
POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
70 MHz
Manufacturer Part Number
JAN2N5005
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.24
Part Package Code
TO-59
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/535
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/535B
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
2 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
最大集极截止电流
50µA
JEDEC-95代码
TO-59
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 500mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
50 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
80 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT