Microchip JAN2N5660

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5660

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/454

包装

Bulk

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

2 W

极性

NPN

功率耗散

2 W

功率 - 最大

2 W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

200nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 400mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

250 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

辐射硬化

无