JAN2N5660
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Microchip JAN2N5660

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型号

JAN2N5660

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-JAN2N5660

商品类别

无类别的

封装

TO-213AA, TO-66-2

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 200V 2A TO66

起订量

1最小包装量--

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JAN2N5660 Microchip TRANS NPN 200V 2A TO66

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JAN2N5660详情

Microchip JAN2N5660重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 包装/外壳

    TO-213AA, TO-66-2

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-66 (TO-213AA)

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    2 A

  • Base Product Number

    2N5660

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Schedule B

    8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C (TJ)

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/454

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    2 W

  • 极性

    NPN

  • 功率耗散

    2 W

  • 功率 - 最大

    2 W

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    200 V

  • 最大集电极电流

    2 A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    40 @ 500mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    200nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    800mV @ 400mA, 2A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    200 V

  • 频率转换

    -

  • 集电极基极电压(VCBO)

    250 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6 V

  • 辐射硬化

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JAN2N5660拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS