Microchip JAN2N5686

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

313C748G24

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

300 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Collector-Emitter Saturation Voltage

5 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

60

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

2 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.67

Part Package Code

BFM

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/464

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/464

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

300 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 25A, 2V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-204AE

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 10A, 50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

集电极电流-最大值(IC)

50 A

最小直流增益（hFE）

5

连续集电极电流

50 A

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT