Microchip JAN2N6350

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-33-4

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

TO-33

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

RoHS

N

Maximum Collector Cut-off Current

1 uA

Maximum Operating Frequency

10 MHz

Maximum DC Collector Current

5 A

Brand

Microchip / Microsemi

Manufacturer

Microchip

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

400

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Transistor Polarity

NPN

Pd - Power Dissipation

1 W

Emitter- Base Voltage VEBO

12 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N6350

Turn-on Time-Max (ton)

500 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1200 ns

Risk Rank

1.75

Part Package Code

TO-33

系列

pushPIN™

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

类型

顶部安装

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/472B

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Single

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.394 (10.00mm)

强制空气流动时的热阻

10.46°C/W @ 100 LFM

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-33

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 5mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

12 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

2000

连续集电极电流

5 A

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

产品类别

达林顿晶体管

宽度

1.772 (45.00mm)

长度

1.772 (45.00mm)

直径

--

辐射硬化

无