对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 形状 | 包装冷却 | 材料处理 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 附着方法 | 离底高度(鳍的高度) | 强制空气流动时的热阻 | 元素配置 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 发射极基极电压 (VEBO) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益(hFE) | 连续集电极电流 | 自然环境下的热阻 | 接通时间-最大值(ton) | 温度上升时的耗散功率 | 产品类别 | 直径 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JAN2N6350 | Unitrode | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6350 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | 通孔 | 通孔 | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can | 4 | SILICON | 1.5V | 5A | 1 | -65°C~200°C TJ | Bulk | 2002 | Military, MIL-PRF-19500/472 | e0 | no | Discontinued | 1 (Unlimited) | 4 | Tin/Lead (Sn/Pb) | BOTTOM | WIRE | Qualified | NPN | Single | COLLECTOR | 1W | NPN - Darlington | 80V | 2000 @ 5A 5V | 1.5V @ 5mA, 5A | 80V | 12V | 500ns | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N6350 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 通孔 | 通孔 | TO-33-4 | NO | 4 | TO-33 | Aluminum | Square, Fins | Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) | 蓝色阳极氧化 | 4 | SILICON | 12 V | 1 W | 1.5 V | NPN | + 200 C | 400 | - 65 C | 1 | 通孔 | Microchip | Microchip / Microsemi | 5 A | 10 MHz | 1 uA | 微芯片技术 | N | 80 V | 1 | 8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080 | Bulk | 5 A | 活跃 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | CYLINDRICAL | METAL | 未说明 | 200 °C | 无 | JAN2N6350 | 500 ns | ROUND | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1200 ns | 1.75 | TO-33 | -65°C ~ 200°C (TJ) | Bulk | pushPIN™ | e0 | 无 | 活跃 | 顶部安装 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 200 °C | -65 °C | 8541.29.00.95 | Transistors | BOTTOM | WIRE | 未说明 | compliant | MIL-19500/472B | O-MBCY-W4 | Qualified | NPN | Single | 推销 | 0.394 (10.00mm) | 10.46°C/W @ 100 LFM | Single | COLLECTOR | 1 W | NPN | 达林顿晶体管 | NPN - Darlington | 80 V | 2000 @ 5A, 5V | - | TO-33 | 1.5V @ 5mA, 5A | 80 V | - | 80 V | 12 V | 5 A | 2000 | 5 A | -- | -- | 达林顿晶体管 | -- | 1.772 (45.00mm) | 1.772 (45.00mm) | 无 |



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