对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JAN2N6768 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 2 | 2 | SILICON | FLANGE MOUNT | METAL | 未说明 | 无 | JAN2N6768 | ROUND | Microsemi Corporation | 1 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.19 | TO-3 | 14 A | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | e0 | 无 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.29.00.95 | BOTTOM | PIN/PEG | 未说明 | MIL-19500 | O-MBFM-P2 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-204AA | 0.3 Ω | 56 A | 400 V | 700 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | not_compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N6768 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-204AE | 3 | SILICON | 170 ns | 14A Tc | 10V | 1 | 4W Ta 150W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/543 | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.29.00.95 | BOTTOM | PIN/PEG | MIL-19500 | O-MBFM-P2 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 35 ns | N-Channel | SWITCHING | 400m Ω @ 14A, 10V | 110nC @ 10V | 190ns | 400V | ±20V | 130 ns | 14A | TO-204AA | 20V | 56A | 400V | 700 mJ | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||
JAN2N6768T1 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | 3 | SILICON | JAN2N6768T1 | SQUARE | Microsemi Corporation | 1 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.75 | TO-254AA | 14 A | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | SINGLE | PIN/PEG | MIL-19500 | S-XSFM-P3 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | N-CHANNEL | TO-254AA | 0.3 Ω | 400 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6768T1 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | 3 | SILICON | 1 | 4W Ta 150W Tc | 14A Tc | 10V | 4V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/543 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | SINGLE | PIN/PEG | MIL-19500 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | N-Channel | 400m Ω @ 14A, 10V | 110nC @ 10V | 400V | ±20V | 14A | 20V | 400V | 无 | Non-RoHS Compliant |



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