JAN2N6790详情
Microchip JAN2N6790重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JAN2N6790
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Turn-off Time-Max (toff)
100 ns
Turn-on Time-Max (ton)
90 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
环境耗散-最大值
0.8 W
JAN2N6790拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip
Microchip
Microchip








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