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'jan2n6790'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量	晶体管元件材料																				Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	系列	JESD-609代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	HTS代码	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	箱体转运	场效应管类型	Rds On(Max)@Id,Vgs	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	场效应管技术
JAN2N6790	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	JAN2N6790	无	Obsolete	MICROSEMI CORP	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	5.19	3.5 A	1	150 °C	-55 °C	METAL	ROUND	CYLINDRICAL	100 ns	90 ns										e0			EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)		8541.29.00.95	BOTTOM	WIRE		compliant			MIL-19500	O-MBCY-W3	Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN				N-CHANNEL		TO-205AF	3.5 A	0.8 Ω	14 A	200 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	20 W	0.8 W
JAN2N6790	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	TO-205AF Metal Can	SILICON			3.5A Tc	10V	1	800mW Tc		4V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Bulk	1997	Military, MIL-PRF-19500/555	e0	Obsolete	1 (Unlimited)	3	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)		8541.29.00.95	BOTTOM	WIRE				MIL-19500	O-MBCY-W3	Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN	N-Channel	850m Ω @ 3.5A, 10V	14.3nC @ 10V	200V	±20V		3.5A			0.8Ohm	14A	200V	100ns	90ns		Non-RoHS Compliant
JAN2N6790U	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	18-CLCC	18/15	SILICON	2.8A Tc	10V	1			800mW Tc	4V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Bulk	1997	Military, MIL-PRF-19500/555		Obsolete	1 (Unlimited)	15	EAR99		高可靠性		QUAD	无铅	未说明		未说明	MIL-19500	R-CQCC-N15	Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	SOURCE	N-Channel	850m Ω @ 3.5A, 10V	14.3nC @ 10V	200V	±20V		2.8A		3.5A	0.85Ohm	11A	200V				Non-RoHS Compliant
JAN2N6790U	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	5.84								JAN2N6790U	无	Obsolete	MICROSEMI CORP	LCC										EAR99						unknown		18/15