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'jans1n4106ur1'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	引脚数	供应商器件包装													厂商																				操作温度	包装	容差	JESD-609代码	零件状态	类型	端子表面处理	子类别	电压 - 供电	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	频率	频率稳定性	输出量	终端样式	功能	基本谐振器	最大电流源	电流 - 电源（禁用）（最大值）	配置	二极管类型	反向泄漏电流@ Vr	功率耗散	功率 - 最大	测试电流	电压 - 齐纳（标准值）（Vz）	齐纳电压	产品类别
JANS1N4106UR-1	Microsemi	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5.19					JANS1N4106UR-1	VPT Components	活跃		VPT组件													compliant										泽纳电极
JANS1N4106UR-1	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4-SMD, No Lead	2	DO-213AA	Bulk	200 Ohms	活跃	微芯片技术	200 Ohms	500 mW	+ 175 C	0.001411 oz	- 65 C	1	通孔	Microchip	Microchip / Microsemi	12 V	N	0.08 %/C	32(mA)	Military	DO-213AA	0.08%/°C(MAX)	0.00005(mA)	200	无	0.25(mA)	表面贴装	-40°C ~ 85°C	Tape & Reel (TR)	SiT8208	0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)	±5%	活跃	XO (Standard)	Diodes & Rectifiers	2.8V	16.369MHz	±10ppm	LVCMOS, LVTTL	SMD/SMT	Standby (Power Down)	MEMS	33mA	70µA	Single		50 nA @ 9.2 V	500	1.1 V @ 200 mA	500 mW	250 uA	12 V	12	齐纳二极管	5%	--	32 mA	齐纳二极管	1.7 mm	0.039 (1.00mm)	3.7 mm	--
JANS1N4106UR-1/TR	Microsemi	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		活跃	MICROSEMI CORP	5.75	未说明					JANS1N4106UR-1/TR	无						e0			Tin/Lead (Sn/Pb)			未说明	unknown										泽纳电极
JANS1N4106UR-1/TR	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	DO-213AA (Glass)	DO-213AA	微芯片技术	200 mA	12 V	N	0.08 %/C		Tape & Reel (TR)	活跃	200 Ohms	0.05 uA	200 Ohms	0.05 uA	0.5 W	+ 175 C	0.001411 oz	- 65 C	1	SMD/SMT	Microchip	Microchip / Microsemi	-65°C ~ 175°C (TA)		Military, MIL-PRF-19500/435		±5%					Diodes & Rectifiers								Single		50 nA @ 9.2 V		1.1 V @ 200 mA	500 mW	250 uA	12 V		齐纳二极管	5 %		32 mA	1.1 V	齐纳二极管	1.7 mm		3.71 mm