Microchip JANS1N4130CUR-1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

供应商器件包装

SOT-89

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A (Ta)

Package

Bulk

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

厂商

Central Semiconductor Corp

Power Dissipation (Max)

1.2W (Ta)

Product Status

最后一次购买

Impedance (Max) (Zzt)

700 Ohms

Unit Weight

0.001411 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Waffle

容差

±2%

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

MOSFET (Metal Oxide)

终端样式

SMD/SMT

反向泄漏电流@ Vr

10 nA @ 51.7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

12V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

68 V

产品类别

齐纳二极管

场效应管特性

-

产品类别

齐纳二极管

长度

3.7 mm

直径

1.7 mm