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'jans1n4627dur1'

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

二极管元件材料

终端数量

厂商

操作温度

包装

系列

尺寸/尺寸

容差

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

温度系数

端子表面处理

应用

附加功能

HTS代码

电容量

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

参考标准

终端样式

JESD-30代码

资历状况

失败率

极性

引线间距

配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

引线样式

箱体转运

功率 - 最大

测试电流

电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

产品类别

最大电压允差

JEDEC-95代码

工作测试电流

电压允差

齐纳电流

特征

Vf-正向电压

产品类别

直径

座位高度(最大)

长度

厚度(最大)

评级结果

JANS1N4627DUR-1
JANS1N4627DUR-1
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Surface Mount, MLCC

1206 (3216 Metric)

YES

2

DO-213AA

SILICON

2

Microchip / Microsemi

N

Vishay Vitramon

O-LELF-R2

长式

1

GLASS

未说明

6.2 V

无

JANS1N4627DUR-1

0.5 W

ROUND

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.4

DO-213AA

Tape & Reel (TR)

CDR32

活跃

100V

1200 Ohms

0.001411 oz

1

SMD/SMT

Microchip

-55°C ~ 125°C

Waffle

Military, MIL-PRF-55681, CDR32

0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

±0.25pF

e0

无

EAR99

BP

Tin/Lead (Sn/Pb)

高可靠性

冶金结合

8541.10.00.50

9.1 pF

Diodes & Rectifiers

ZENER

END

环绕

未说明

compliant

MIL-19500/435F

SMD/SMT

O-LELF-R2

Qualified

M (1%)

UNIDIRECTIONAL

-

SINGLE

泽纳电极

5 µA @ 5 V

1.1 V @ 200 mA

-

ISOLATED

500 mW

6.2 V

齐纳二极管

1%

DO-213AA

0.25 mA

-

齐纳二极管

1.7 mm

-

3.7 mm

0.051 (1.30mm)

-

JANS1N4627DUR-1/TR
JANS1N4627DUR-1/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AA (Glass)

DO-213AA

微芯片技术

Microchip / Microsemi

200 mA

6.2 V

N

- 0.01 %/C /0.05 %/C

Tape & Reel (TR)

活跃

1.2 Ohms

5 uA

1200 Ohms

5 uA

0.5 W

+ 175 C

0.001411 oz

- 65 C

1

SMD/SMT

Microchip

-65°C ~ 175°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/435

±1%

Diodes & Rectifiers

Single

5 μA @ 5 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

250 uA

6.2 V

齐纳二极管

1 %

61 mA

1.1 V

齐纳二极管

1.7 mm

3.71 mm