Microchip JANS1N5618

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

A, Axial

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

A, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/85

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Unit Weight

0.017637 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Risk Rank

4.89

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

JANS1N5618

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

200 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Style

长式

Package Description

O-LALF-W2

系列

Military, MIL-PRF-19500/427

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Standard

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 600 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.3 V @ 3 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 200°C

输出电流-最大值

1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

1A

正向电压

1.3 V

产品类别

Rectifiers

反向恢复时间

2000

峰值反向电流

500 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

30 A

二极管配置

Single

重复峰值反向电压

600

反向恢复时间-最大值

2 µs

反向恢复时间(trr)

2 µs

产品

Rectifiers

产品类别

Rectifiers

长度

5.21 mm

直径

2.79 mm

辐射硬化

无