JANS1N5804US
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Microchip JANS1N5804US

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型号

JANS1N5804US

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-JANS1N5804US

商品类别

二极管 - 射频

封装

A, Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R

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JANS1N5804US
JANS1N5804US Microchip Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R

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JANS1N5804US详情

Microchip JANS1N5804US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    A, Axial

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    A, Axial

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Schedule B

    8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/477

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 电容量

    25 pF

  • 技术

    Standard

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1 µA @ 150 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    975 mV @ 2.5 A

  • 正向电流

    1 A

  • 工作温度 - 结点

    -65°C ~ 175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    100 V

  • 平均整流电流(Io)

    1A

  • 正向电压

    975 mV

  • 反向恢复时间

    25

  • 峰值反向电流

    1 µA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    100 V

  • 电容@Vr, F

    25pF @ 10V, 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    35 A

  • 反向电压

    110 V

  • 二极管配置

    Single

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    35 A

  • 最大结点温度(Tj)

    175 °C

  • 重复峰值反向电压

    100

  • 反向恢复时间(trr)

    25 ns

  • 高度

    2.62 mm

  • 辐射硬化

0个相似型号

JANS1N5804US拓展信息

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