Microchip JANS1N6106A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

B, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANS1N6106A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.44

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

2 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.026455 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Reverse Stand-off Voltage

7.6 V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

9.5V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

34.5A

最大反向漏电电流

20 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

14.5V

箝位电压

14.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

7.6V

峰值脉冲电流

34.5 A

峰值脉冲功率

500 W

方向

双向

测试电流

125 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

7.6 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

9.5 V

最小击穿电压

9.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无