Microchip JANS1N6115

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

B, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

1N6115

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.026455 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS1N6115

Power Dissipation (Max)

2 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.49

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

21.66V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

14.25A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

34.97V

电压 - 反向断态（典型值）

18.2V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

18.2 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

22.75 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes