Microchip JANS1N6117AUS

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

ZBSPEFAF000A000000XX

Approvals

IEC

Manufacturer

ABB

Mounting

DRAWOUT

Supplier Package

E-MELF

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Direction Type

Bi-Directional

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.019013 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Reverse Stand-off Voltage

22.8 V

Number of Elements

1

Package Description

O-XELF-N2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Power Dissipation (Max)

1.5 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

30 V

Risk Rank

5.77

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 175 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Waffle

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

极性

双向

配置

Single

泄漏电流

1 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

28.5V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

12A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

41.6V

箝位电压

41.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

22.8V

峰值脉冲电流

12 A

峰值脉冲功率

500 W

方向

双向

测试电流

40 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

22.8 V

电容@频率

-

反向击穿电压

28.5 V

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

28.5 V

最大箝位电压

43.5 V

最小击穿电压

28.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes