Microchip JANS1N6123

表面安装

NO

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANS1N6123

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.77

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

3 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

48.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

7.1 A

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

1 uA

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

工作电压

38.8 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

48.5V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

7.1A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

70.1V

箝位电压

70.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

38.8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

38.8 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

46.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes