Microchip JANS1N6127A

表面安装

NO

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANS1N6127A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.85

Breakdown Voltage-Nom

75 V

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

3 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Supplier Package

B型壳体

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

71.3 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

4.8 A

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 175 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Tray

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

1 uA

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

工作电压

56 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

71.3V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

4.8A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

103.1V

箝位电压

103.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

56V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

56 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

71.3 V

最大箝位电压

103 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes