JANS1N6319DUS详情
Microchip JANS1N6319DUS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
表面安装
YES
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
ACH580-BCR-07A6-4+J429+K465+L512
Manufacturer
ABB
Package
Tray
Base Product Number
1N6319
Impedance (Max) (Zzt)
3 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Ir - Reverse Current
5 uA
Zz - Zener Impedance
3 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
5 uA
Pd - Power Dissipation
0.5 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.003333 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Brand
Microchip / Microsemi
Vz - Zener Voltage
6.2 V
RoHS
N
Voltage Temperature Coefficient
0.06 %/C
Package Description
O-XELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reference Voltage-Nom
6.2 V
Rohs Code
无
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.3
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
容差
±1%
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/533F
JESD-30代码
O-XELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
5 µA @ 3.5 V
功率耗散
500
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
测试电流
20 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
6.2 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
1%
工作测试电流
20 mA
电压允差
1 %
齐纳电流
68 mA
Vf-正向电压
1.4 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
2.16 mm
高度
2.16 mm
长度
4.95 mm
JANS1N6319DUS拓展信息
Microchip Technology
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