JANS1N6322US详情
Microchip JANS1N6322US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
Package
Bulk
Base Product Number
KJB7T
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Schedule B
8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050
Impedance (Max) (Zzt)
5 Ohms
系列
*
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 175°C
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
8.2 V
齐纳电压
8.2 V
产品类别
齐纳二极管
电压允差
5 %
产品类别
齐纳二极管
辐射硬化
无
JANS1N6322US拓展信息
Microchip Technology
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