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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥896.633977
10
¥845.881107
100
¥798.001045
500
¥752.83117
1000
¥710.218091
JANS1N6332US详情
Microchip JANS1N6332US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Reference Voltage-Nom
22 V
Manufacturer Part Number
JANS1N6332US
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
O-XELF-R2
Risk Rank
5.32
Number of Elements
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
ROUND
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
20 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
包装
Bulk
容差
±5%
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
500 mW
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/533F
JESD-30代码
O-XELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 17 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
50 nA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
22 V
齐纳电压
22 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
5.6 mA
辐射硬化
无
JANS1N6332US拓展信息
Microchip Technology
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