JANS1N825-1详情
Microchip JANS1N825-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Radial, Vertical Cylinder
供应商器件包装
Radial
Frequency-Self-Resonant
-
Package
Bulk
Inductance Frequency-Test
1 kHz
厂商
中央技术
Product Status
活跃
Material-Core
-
Current - Saturation (Isat)
4A
Impedance (Max) (Zzt)
15 Ohms
Unit Weight
0.005291 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-25°C ~ 85°C
系列
CTDR3F
包装
Tray
尺寸/尺寸
1.102 Dia (28.00mm)
容差
±10%
类型
Drum Core, Wirewound
子类别
Diodes & Rectifiers
屏蔽/屏蔽
Unshielded
终端样式
Axial
电感,电感
390 µH
直流电阻(DCR)
169mOhm Max
反向泄漏电流@ Vr
2 µA @ 3 V
功率 - 最大
500 mW
谐振@频率
-
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
6.2 V
产品类别
齐纳二极管
特征
-
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.866 (22.00mm)
长度
5.08 mm
直径
2.29 mm
评级结果
-
JANS1N825-1拓展信息
Microchip Technology
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